參數(shù)資料
型號： FMB-G24
廠商： Sanken Electric Co.,Ltd.
英文描述： Schottky Barrier Diodes 40V
中文描述： 40V的肖特基二極管
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 23K
代理商： FMB-G24
FMB-G14
10
20
30
60
50
40
0 1
5
50
10
20ms
I
F
Schottky Barrier Diodes
40V
Parameter
Type No.
Absolute Maximum Ratings
I
FSM
Half-Single Shot
V
RM
(V)
I
F (AV)
V
F
(V)
I
F
(A)
I
/
I
RP
(mA)
V
R
=
V
RM
max
Rth (j-c)
V
=
V
RM
Ta
=
100
°
C max
I
(mA)
I
(H)
(mA)
t
rr
(ns)
Tj
(
°
C)
Tstg
(
°
C)
max
Electrical Characteristics (Ta
=
25
°
C)
(
°
C/W)
(g)
Mass
Others
FMB-G14
3.0
5.0
40
10.0
60
150
0.55
3.0
5.0
10.0
5.00
10.00
100
65
100
100/100
–40 to +150
4.0
2.1
FMB-G14L
FMB-G24H
A
30
60
150
120
90
0 1
5
50
10
20ms
I
F
FMB-G14L
FMB-G24H
50
10
1
0.1
0.01
0.0010
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.4
1.2
10
1
0.1
0.01
0.0010
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.7
0.6
50
10
1
0.1
0.01
0.001
0
20
40
50
60
10
30
20
10
1
0.1
0.01
0.0010
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.7
0.6
200
100
10
1
0.1
0.01
0
20
10
40
50
60
30
0
20
10
40
50
60
30
3.3
0
3
1.35
10.0
4
4
0.85
5.08
4.2
2.8
C 0.5
2.4
1
1
±
0
0.45
200
100
10
1
0.1
0.01
10
20
30
60
50
40
0 1
5
50
10
20ms
I
F
80
0
90
Case Temperature Tc
(
°
C)
100
130
1
2
3
4
5
120
t/T=
t/T=
t/T=
D.C.
60
0
70
100
130
2
4
6
8
10
110
t/T 1/6
=
t/T=
D.C.
110
80
0
130
1
2
3
110
120
100
90
Sinewave
t/T=
Sinewave
50
80
90
120
t/T=
t/T=
t/T=
D.C.
Sinewave
T
a
125oC
=
100oC
60oC
27oC
27oC
100oC
T
a
125oC
=
60oC
T
a
=
100oC
60oC
27oC
100oC
T
a
125oC
=
60oC
27oC
T
a
=
100oC
60oC
27oC
100oC
T
a
=
60oC
27oC
92
Fig.
Forward Voltage V
F
(V)
F
F
(
V
F
—I
F
Characteristics
(Typical)
Overcurrent Cycles
I
FMS
Rating
P
F
(
Reverse Voltage V
R
(V)
R
R
(
V
R
—I
R
Characteristics
(Typical)
Case Temperature Tc
(
°
C)
A
F
(
Tc —I
F(AV)
Derating
Forward Voltage V
F
(V)
F
F
(
V
F
—I
F
Characteristics
(Typical)
Overcurrent Cycles
I
FMS
Rating
P
F
(
Reverse Voltage V
R
(V)
R
R
(
V
R
—I
R
Characteristics
(Typical)
A
F
(
Tc —I
F(AV)
Derating
Forward Voltage V
F
(V)
F
F
(
V
F
—I
F
Characteristics
(Typical)
Overcurrent Cycles
I
FMS
Rating
P
F
(
Reverse Voltage V
R
(V)
R
R
(
V
R
—I
R
Characteristics
(Typical)
Case Temperature Tc
(
°
C)
A
F
(
Tc —I
F(AV)
Derating
External Dimensions
(Unit: mm) (Full-mold)
Flammability:
UL94V-0 or Equivalent
A
Fig.
+0.2
–0.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FMB-G14 Schottky Barrier Diodes 40V
FMB-G14L Schottky Barrier Diodes 40V
FMB-G24H Schottky Barrier Diodes 40V
FMB857B 256Mb F-die DDR SDRAM Specification
FMC-26UA Single Pole Normally Open: 1-Form-A
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FMB-G24H 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Diode Schottky 40V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220F 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:DIODE SCHOTTKY 40V TO220F-2
FMBH1G100US60 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMBH1G150US60 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMBH1G200US60 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMBH1G300US60 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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