| 型號: | FMB857B |
| 廠商: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述: | 256Mb F-die DDR SDRAM Specification |
| 中文描述: | 256Mb的的F - DDR SDRAM內(nèi)存芯片規(guī)格 |
| 文件頁數(shù): | 1/23頁 |
| 文件大小: | 329K |
| 代理商: | FMB857B |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMC-26UA | Single Pole Normally Open: 1-Form-A |
| FMC-28UA | Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes |
| FMC-26U | 200V,Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes(200,超快恢復(fù)整流二極管) |
| FMC-28U | 800V,Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes(800,超快恢復(fù)整流二極管) |
| FMC-G28SL | 800V,Ultra-Fast-Recovery Rectifier Diodes(800,超快恢復(fù)整流二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FMB857B_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMB85DYFD | 制造商:Sullins Connector Solutions 功能描述:CONN CARDEDGE DL 170POS .050 SMD |
| FMB85DYFN | 制造商:Sullins Connector Solutions 功能描述:CONN CARDEDGE DL 170POS .050 SMD |
| FMB85DYFR | 制造商:Sullins Connector Solutions 功能描述:CONN CARDEDGE DL 170POS .050 SMD |
| FMB85DYFT | 制造商:Sullins Connector Solutions 功能描述:CONN CARDEDGE DL 170POS .050 SMD |