| 型號: | FMB-26L |
| 廠商: | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述: | Schottky Barrier Diodes |
| 中文描述: | 肖特基勢壘二極管 |
| 文件頁數(shù): | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商: | FMB-26L |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| FMB-36 | Schottky Barrier Diodes |
| FMB-36M | Schottky Barrier Diodes |
| FMB-G16L | Schottky Barrier Diodes |
| FMB-29 | Schottky Barrier Diodes 90V |
| FMB-G19 | Schottky Barrier Diodes 90V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FMB29 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
| FMB-29 | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk |
| FMB2907A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMB2907A_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMB-29L | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Diode Schottky 90V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Bulk |