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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FM2G400US60 |
| 廠(chǎng)商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Signal Generator; Bandwidth Max:10MHz; Sweep Rate Range:100:1 lin/log; Sweep Time Range:0.5 Sec to 30 Sec; Accuracy:20Hz to 100kHz ( 3%)<Linebreak/>; 120/150kHz ( 5%); Battery Size Code:9V; Frequency Max:5MHz; Frequency Min:0.2Hz |
| 中文描述： | 400 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 7PM-AA, 7 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 464K |
| 代理商： | FM2G400US60 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FM2G400US60 Rev. A
F
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Transient Thermal Impedance
Fig 17. RBSOA Characteristics
Fig 18. Transient Thermal Impedance
0
100
200
300
400
0
20
40
60
80
Eoff
Eon
Esw
Vcc = 300V
Rg = 1.6
Tc = 125
℃
C O LLEC TO R - E M ITT ER C U R R EN T Ic [A ]
0
500
1000
1500
0
100
200
300
400
Common Emitter
RL = 0.75
Tc = 25
℃
CHARGE Q
G
[nC]
C
C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
G
G
0.3
1
10
100
1000
3
10
100
1000
300
50
100
1ms
DC Operation
Ic MAX. (Continuous)
Ic MAX. (Pulsed)
30
300
30
3
C
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
[V]
0
100
200
300
400
500
600
700
0
200
400
600
800
1000
Tj
≤
125
℃
Vge =
±
15V
Rg = 1.6
C
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V
CE
[V]
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 E -4
1 E -3
0 .0 1
0 .1
1
IG B T S ta g e
T c = 2 5
℃
0 .5
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
sin g le p u lse
T
℃
R e c ta n g u la r P u lse D u ra tio n [s e c ]
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
3 E -4
1 E -3
0 .0 1
0 .1
1
D IO D E S ta g e
T c = 2 5
℃
0 .5
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
sin g le p u lse
T
℃
R e c ta n g u la r P u lse D u ra tio n [s e c ]
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