參數(shù)資料
型號(hào)： FKPF12N60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 晶閘管
英文描述： Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon
中文描述： 600 V, 12 A, TRIAC, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 141K
代理商： FKPF12N60
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, December 2002
F
Typical Curves
(Continues)
Figure 13. Breakover Voltage vs.
Junction Temperature
Figure 14. Gate Trigger Current vs.
Gate Current Pulse Width
Figure 15. Breakover Voltage vs.
Rate of Rise of Off-State Voltage
Figure 16. Commutation Characteristics
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
0
20
40
60
80
100
120
140
160
TYPICAL EXAMPLE
N
JUNCTION TEMPERATURE [V]
1
1
0
1
00
1
0
1
00
1
000
I
RGT
Ⅲ
I
RGT
Ⅰ
I
FGT
Ⅰ
N
GATE CURRENT PULSE WIDTH [uS]
10
1
10
2
10
3
10
4
20
40
60
80
100
120
140
160
Ⅰ
QUADRANT
Ⅲ
QUADRANT
TYPICAL EXAMPLE
Tj=125
℃
N
RATE OF RISE OF-STATE VOLTAGE [V/us]
10
0
10
1
10
2
10
3
1
10
100
Ⅲ
QUADRANT
Ⅰ
QUADRANT
TYPICAL
EXAMPLE
Tj = 125
℃
I
T
= 4A
τ
= 500us
V
= 200V
f = 3Hz
C
C
RATE OF DECAY OF ON-STATE
COMMUTATION CURRENT [A/ms]
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PDF描述
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