參數(shù)資料
型號： FKPF12N80
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 晶閘管
英文描述： Application Explanation
中文描述： 800 V, 12 A, TRIAC, TO-220AB
封裝： LEAD FREE, TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大小： 170K
代理商： FKPF12N80
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. D2, April 2004
F
Bi-Directional Triode Thyristor Planar Silicon
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Thermal Characteristic
Symbol
V
DRM
Parameter
Rating
800
Units
V
Repetitive Peak Off-State Voltage
(Note1 )
Symbol
I
T (RMS)
Parameter
Conditions
Rating
12
Units
A
RMS On-State Current
Commercial frequency, sine full wave 360
°
conduction, T
C
=82
°
C
Sinewave 1 full cycle, peak value,
non-repetitive
I
TSM
Surge On-State Current
50Hz
60Hz
120
132
72
A
A
I
2
t
I
2
t for Fusing
Value corresponding to 1 cycle of halfwave,
surge on-state current, tp=10ms
I
G
= 2x I
GT
, tr
≤
100ns
A
2
s
di/dt
P
GM
P
G (AV)
V
GM
I
GM
T
J
T
STG
V
iso
Critical Rate of Rise of On-State Current
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Voltage
Peak Gate Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Isolation Voltage
50
5
0.5
10
2
A/
μ
s
W
W
V
A
°
C
°
C
V
- 40 ~ 125
- 40 ~ 125
1500
Ta=25
°
C, AC 1 minute, T
1
T
2
G terminal to
case
Symbol
R
th(J-C)
Parameter
Test Condition
Min.
-
Typ.
-
Max.
3.0
Units
°
C/W
Thermal Resistance
Junction to case
(Note 4)
FKPF12N80
Application Explanation
Switching mode power supply, light dimmer, electric flasher unit, hair drier
TV sets, stereo, refrigerator, washing machine
Electric blanket, solenoid driver, small motor control
Photo copier, electric tool
1 2 3
TO-220F
1
2
3
1: T
1
2: T
2
3: Gate
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FKPF2N80 功能描述:雙向可控硅 Bi-Dir Triode Thyristor Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復(fù)通態(tài)電流:120 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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