參數(shù)資料
型號: FJY3008R
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN Epitaxial Silicon Transistor
中文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-523F, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 268K
代理商: FJY3008R
3
www.fairchildsemi.com
FJY3008R Rev. A
F
Package Dimensions
SOT-523F
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJY3009R NPN Epitaxial Silicon Transistor
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJY3009R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJY3010R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJY3011R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJY3012R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJY3013R 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_2.2K R2_4 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel