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參數(shù)資料
| 型號： | FJY3010R |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-523F, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 262K |
| 代理商： | FJY3010R |
tm
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FJY3010R Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
F
November 2006
FJY3010R
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Features
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
Built in bias Resistor (R=10K
)
Complement to FJY4010R
Absolute Maximum Ratings *
T
a
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may by impaired.
Thermal Characteristics*
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
* Minimum land pad size.
Electrical Characteristics*
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
Value
Units
V
CBO
V
CEO
V
EBO
Collector-Base Voltage
40
V
Collector-Emitter Voltage
40
V
Emitter-Base Voltage
5
V
I
C
T
STG
T
J
P
C
Collector Current
100
mA
Storage Temperature Range
-55~150
°
C
Junction Temperature
150
°
C
Collector Power Dissipation
, by R
θ
JA
200
mW
Parameter
Max
600
Units
°
C/W
Test Condition
MIN
Typ
MAX
Units
V
(BR)CBO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
C
= 100 uA, I
E
= 0
40
V
V
(BR)CEO
Collector-Base Breakdown Voltage
I
C
= 1mA, I
B
= 0
40
V
I
CBO
Collector-Cutoff Current
V
CB
= 30 V, I
E
= 0
0.1
uA
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 5 V, I
C
= 1 mA
100
600
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
I
C
= 10 mA, I
B
= 1 mA
0.3
V
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
V
CE
= 10V, I
C
= 5 mA
250
MHz
C
cb
Output
Capacitance
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
3.7
pF
R
Input Resistor
7
10
13
K
SOT
-
523F
E
B
C
Eqivalent Circuit
B
E
C
S10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJY3011R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJY3012R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJY3013R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJY3014R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJY3015R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FJY3011R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJY3012R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJY3013R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_2.2K R2_4 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJY3014R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_4.7K R2_4 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJY3015R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_2.2K R2_1 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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