型號: | FJY3002R |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
中文描述: | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | SOT-523F, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大?。?/td> | 267K |
代理商: | FJY3002R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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FJY3003R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
FJY3004R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
FJY3005R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
FJY3006R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
FJY3007R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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FJY3003R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_22K R2_22 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
FJY3004R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_47K R2_47 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
FJY3005R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_4.7K R2_1 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
FJY3006R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_10K R2_47 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
FJY3007R | 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 Trans Pre-Biased NPN 50V R1_22K R2_47 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |