參數(shù)資料
型號(hào)： FJX3012R
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Switching Application
中文描述： 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 32K
代理商： FJX3012R
Package Dimensions
F
Dimensions in Millimeters
SOT-323
2.00±0.20
0.95±0.15
0.90
±0.10
3°
3°
0.135
1.25±0.10
2.10±0.10
0.10 Min
0.275±0.100
1.30±0.10
+0.04
–0.01
1.00±0.10
0.05–0.02
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A3, August 2002
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJX3013R Switching Application
FJX3014R Switching Application
FJX3015R Switching Application
FJX3904TF NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJX3904 General Purpose Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJX3012RTF 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJX3012RTF_Q 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJX3013R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Switching Application
FJX3013RTF 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJX3013RTF_Q 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
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