| 型號: | FJV3105R |
| 廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類: | 小信號晶體管 |
| 英文描述: | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述: | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝: | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數: | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 88K |
| 代理商: | FJV3105R |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJV3106R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3107R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3108R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3109R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3110R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJV3105RMTF | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/4.7K 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJV3105RMTF_Q | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/4.7K 10K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJV3106R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3106RMTF | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/10K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJV3106RMTF_Q | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/10K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |