參數(shù)資料
型號(hào): FJV3101R
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: NPN Epitaxial Silicon Transistor
中文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 55K
代理商: FJV3101R
F
Package Demensions
0.96~1.14
0.12
0.03~0.10
0.38 REF
0.40
±
0.03
2.90
±
0.10
0.95
±
0.03
0.95
±
0.03
1.90
±
0.03
0.508REF
0
1
±
0
0
2
±
0
+0.05
–0.023
0
0.40
±
0.03
SOT-23
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, July 2002
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJV3102 NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3102R NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3103R NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3104R NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3105R NPN Epitaxial Silicon Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJV3101RLIMTF 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 FJV3101R FOR LITEON RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJV3101RMTF 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/4.7K 4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJV3101RMTF_Q 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/4.7K 4.7K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
FJV3102 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3102R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor