參數資料
型號： FJC2098
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN Epitaxial Silicon Transistor
中文描述： 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數： 1/4頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： FJC2098
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, February 2003
F
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
P
C
Power Dissipation(T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CEO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
C
OB
Collector Output Capacitance
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Value
50
20
6
5
0.5
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=50
μ
A, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
=50
μ
A, I
C
=0
V
CE
=40V, V
B
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=2V, I
C
=0.5A
I
C
=4A, I
B
=0.1A
I
C
=4A, I
B
=0.1A
V
CB
=20V, I
E
=0, f=1MHz
Min.
50
20
6
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
0.5
0.5
390
1.0
1.2
120
V
V
pF
23
Q
R
h
FE
120 ~ 270
180 ~ 390
FJC2098
Camera Strobe Flash Application
Complement to FJC1386
High Collector Current
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
JAQ
Marking
h
FE
grade
1. Base 2. Collector 3. Emitter
SOT-89
1
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