參數(shù)資料
型號(hào)： FJC1386P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-89
中文描述： 5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 51K
代理商： FJC1386P
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, August 2002
F
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base-Emitter On Voltage
Figure 6. Power Derating
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
0
-200
-400
-600
-800
-1000
-1200
-1400
I
B
= -7mA
I
B
= -6mA
I
B
= -4mA
I
B
= -3mA
I
B
= -2mA
I
B
= -5mA
I
B
= -1mA
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
-10m
-100m
-1
-10
10
100
1000
V
CE
= - 2V
Ta = 25
o
C
Ta = 125
o
C
Ta = - 40
o
C
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-1m
-10m
-100m
-1
-10
-1m
-10m
-100m
-1
-10
Ta = - 40
o
C
Ta = 25
o
C
Ta = 125
o
C
I
C
= 10 I
B
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-1m
-10m
-100m
-1
-10
-0.1
-1
-10
I
C
= 10 I
B
Ta = 125
o
C
Ta = 25
o
C
Ta = - 40
o
C
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
-1.8
125
o
C
25
o
C
- 40
o
C
V
CE
= - 2V
I
C
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
P
C
T
a
[
o
C], AMIBIENT TEMPERATURE
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