參數(shù)資料
型號(hào)： FJB102
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Power Darlington Transistor
中文描述： 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 159K
代理商： FJB102
3
www.fairchildsemi.com
FJB102 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Static Characterstic
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Saturation Voltage
Figure 4. Collector Output Capacitance
Figure 5. Forward Biased Safe Operating
Area
Figure 6. Power Derating
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
I
B
= 1mA
I
B
= 300
μ
A
I
B
= 200
μ
A
I
B
= 100
μ
A
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.1
1
10
100
1k
10k
V
CE
= 4V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
100
1k
10k
I
C
= 500 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
1
10
100
1k
10k
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
I
E
=0, f=1MHz
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
5ms
100
μ
s
1ms
DC
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
120
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
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