參數(shù)資料
型號： FJB102
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： High Voltage Power Darlington Transistor
中文描述： 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 159K
代理商： FJB102
2
www.fairchildsemi.com
FJB102 Rev. A
F
Electrical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max
Units
BV
CEO(sus)
BV
EBO
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE
Collector-Emitter Sustaining Voltage
I
C
= 30mA, I
B
= 0
I
E
= 500
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 100V, I
E
= 0
V
CE
= 50V, I
E
= 0
V
EB
= 5V, I
C
= 0
V
CE
= 4V, I
C
= 3A
V
CE
= 4V, I
C
= 8A
I
C
= 3A, I
B
= 6mA
I
C
= 8A, I
B
= 80mA
V
CE
= 4V, I
C
= 8A
V
E
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
100
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
10
V
Collector Cut-off Current
50
μ
A
Collector Cut-off Current
50
μ
A
Emitter Cut-off Current
2
mA
DC Current Gain
1000
200
20000
V
CE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.0
V
2.5
V
V
BE(ON)
C
ob
Base-Emitter Saturation Voltage
2.8
V
Output Capatitance
200
pF
相關PDF資料
PDF描述
FJC1308 PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJC1386 PNP Epitaxial Silicon Transistor
FJC1386P TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-89
FJC1386Q TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-89
FJC1386R TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SOT-89
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FJB102TM 功能描述:達林頓晶體管 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr. RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
FJB3307D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor
FJB3307DTM 功能描述:達林頓晶體管 NPN 700V/8A Built-in Diode RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
FJB5555 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor
FJB5555TM 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*