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參數(shù)資料
| 型號： | FJAF4210R |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-3PF, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | FJAF4210R |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, November 2002
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characterstic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. V
CE
(sat) vs. I
B
Characteristics
Figure 4. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base-Emitter On Voltage
Figure 6. Forward Bias Safe Operating Area
-0
-1
-2
-3
-4
-0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
I
B
= - 20mA
I
B
= - 400mA
I
B
= - 300mA
I
B
= - 250mA
I
B
= - 200mA
I
B
= - 150mA
I
B
= - 100mA
I
B
= - 50mA
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
-0.1
-1
-10
10
100
1000
V
CE
= - 4 V
Ta = 25
o
C
Ta = 125
o
C
Ta = - 25
o
C
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
I
C
= - 10A
I
C
= - 5A
V
C
(
I
B
[A], BASE CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
-0.01
-0.1
-1
I
C
= 10 I
B
Ta = 25
o
C
Ta = 125
o
C
Ta = - 25
o
C
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-0
-2
-4
-6
-8
-10
V
CE
= - 4 V
Ta = 25
o
C
Ta = 125
o
C
Ta = - 25
o
C
I
C
V
BE
[V], Base-Emitter On VOLTAGE
0.1
1
10
100
0.1
1
10
t=100ms
t=10ms
T
C
=25
Single Pulse
℃
℃
I
C
(DC)
I
C
(Pulse)
I
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| FJAF4210Y | BJT |
| FJAF4310 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJAF4310O | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJAF4310R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJAF4310Y | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| FJAF4210Y | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:BJT |
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