參數(shù)資料
型號： FJAF4210O
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： BJT
中文描述： 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 88K
代理商： FJAF4210O
Package Dimensions
F
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, November 2002
15.50
±
0.20
3.60
±
0.20
2
±
0
4
±
0
1
±
0
1
±
0
10
°
1
±
0
2
±
0
2
±
0
1
±
0
1
±
0
2
±
0
2.00
±
0.20
2.00
±
0.20
4.00
±
0.20
2.00
±
0.20
0.85
±
0.03
2.00
±
0.20
5.50
±
0.20
3.00
±
0.20
(1.50)
3.30
±
0.20
2
±
0
1
±
0
3
±
0
2
±
0
5
±
0
0.75
+0.20
0.90
+0.20
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
5.45TYP
[5.45
±
0.30
]
TO-3PF
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PDF描述
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