參數(shù)資料
型號: FJAF4210
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; Connector Shell Size:10SL; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Body Style:Straight; Circular Contact Gender:Socket
中文描述: 10 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 88K
代理商: FJAF4210
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, November 2002
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Power Derating
0
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
P
C
[
T
C
[
], CASE TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJAF4210O BJT
FJAF4210R BJT
FJAF4210Y BJT
FJAF4310 NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJAF4310O NPN Epitaxial Silicon Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJAF42100TU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FJAF4210O 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:BJT
FJAF4210OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJAF4210R 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:BJT
FJAF4210RTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2