參數(shù)資料
型號: FJA4213
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Audio Power Amplifier
中文描述: 15 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/5頁
文件大?。?/td> 93K
代理商: FJA4213
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, March 2003
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base-Emitter On Voltage
Figure 6. Safe Operating Area
-0
-2
-4
-6
-8
-10
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
I
B
= -500mA
I
B
= -400mA
I
B
= -300mA
I
B
= -600mA
I
B
= -700mA
I
B
= -900mA
I
B
= -800mA
I
B
= -200mA
I
B
= -1A
I
B
= -100mA
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1
10
1
10
100
V
CE
= -5V
Tj = -25
o
C
Tj = 25
o
C
Tj = 125
o
C
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
100
10
100
1000
10000
Ic=-10Ib
Tj=-25
Tj=25
Tj=125
V
Ic[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
10000
Ic=-10Ib
Tj=-25
Tj=25
Tj=125
V
Ic[A], COLLECTOR CURRENT
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
0
2
4
6
8
10
12
14
V
CE
= 5V
I
C
[
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
*SINGLE NONREPETITIVE
PULSE T
C
=25[
o
C]
10ms*
100ms*
DC
I
C
MAX. (Pulsed*)
I
C
MAX. (DC)
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJA4310 NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJA4313 Audio Power Amplifier
FJAF4210 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-5015; Body Material:Metal; Series:GT; Connector Shell Size:10SL; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Box Mount Receptacle; Body Style:Straight; Circular Contact Gender:Socket
FJAF4210O BJT
FJAF4210R BJT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJA4213OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJA4213RTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Silicon Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJA4310 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJA4310OTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJA4310RTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2