參數(shù)資料
型號： FII30-12D
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Fast IGBT Chopper in ISOPLUS i4-PACTM
中文描述： 30 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOPLUS, I4PAC-5
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： FII30-12D
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
FII 30-12D
Component
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
T
VJ
T
stg
-55...+150
-55...+125
°
C
°
C
V
ISOL
I
ISOL
≤
1 mA; 50/60 Hz
2500
V~
F
C
mounting force with clip
20...120
N
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
d
S
,d
A
d
S
,d
A
pin - pin
pin - backside metal
1.7
5.5
mm
mm
R
thCH
with heatsink compound
0.15
K/W
Weight
9
g
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")
Diodes
Symbol
Conditions
Maximum Ratings
V
RRM
T
VJ
= 25°C to 150°C
1200
V
I
F25
I
F90
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
25
15
A
A
Symbol
Conditions
Characteristic Values
min.
typ.
max.
V
F
I
F
= 20 A; T
VJ
= 25°C
T
VJ
= 125°C
2.5
1.9
2.9
V
V
I
RM
t
rr
I
F
= 15 A; di
/dt = -400 A/μs; T
VJ
= 125°C
V
R
= 600 V; V
GE
= 0 V
16
130
A
ns
R
thJC
(per diode)
2.3 K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FII50-12E NPT IGBT phaseleg
FIP11B13B FIP13Y8A
FIP11F10 FIP13Y8A
FIP13Y8A FIP13Y8A
FIP6A13C FIP13Y8A
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FII30-12E 功能描述:IGBT 晶體管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FII40-06D 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 600V 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
FII50-12E 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FIID102 制造商:Panduit Corp 功能描述:Fiber Cable 2Conductors 8mm Black 制造商:Panduit Corp 功能描述:2-FIBER 62.5/200/230?M OM1 PCF (POLYMER
FIID102-025M 制造商:Panduit Corp 功能描述:2-FIBER 62.5/200/230 ?M (OM1-PCF) MULTI
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