參數(shù)資料
型號： FGAF40N60UFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ultrafast IGBT
中文描述： 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： LEAD FREE, TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 583K
代理商： FGAF40N60UFD
FGAF40N60UFD Rev. A
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
200
400
600
800 1000
1
10
100
V
R
= 200V
I
F
= 15A
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
R
r
di/dt [A/us]
200
400
600
800 1000
0
200
400
600
800
V
R
= 200V
I
F
= 15A
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
S
[
di/dt [A/us]
1
10
100
0
1
2
3
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
Forward Voltage Drop, V
F
Fig 19. Reverse Recovery Current
Fig 18. Forward Characteristics
Fig 20. Stored Charge
Fig 21. Reverse Recovery Time
200
400
600
800 1000
20
40
60
80
100
120
V
R
= 200V
I
F
= 15A
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
R
r
di/dt [A/us]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGC4000BX-90DS HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
FGD3N60LSD IGBT
FGD3N60LSDTF IGBT
FGD3N60LSDTM IGBT
FGH20N6S2D 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FGAF40N60UFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 Ultrafast RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGAF40N60UFTU 功能描述:IGBT 晶體管 40A/600V/ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGAX304-638G 制造商:Advanced Interconnect 功能描述:
FGB.00.302.CLAD22 功能描述:環(huán)形推拉式連接器 STRAIGHT PLUG MALE W. CABLE COLLET RoHS:否 制造商:Hirose Connector 產(chǎn)品類型:Connectors 系列:HR10 觸點類型:Socket (Female) 外殼類型:Receptacle 觸點數(shù)量:4 外殼大小:7 安裝風(fēng)格:Panel 端接類型:Solder 電流額定值:2 A
FGB.00.302.CLAD22Z 制造商:LEMO connectors 功能描述:.
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