參數(shù)資料
型號： FGAF40N60UFD
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ultrafast IGBT
中文描述： 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： LEAD FREE, TO-3PF, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 583K
代理商： FGAF40N60UFD
FGAF40N60UFD Rev. A
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Electrical Characteristics of the IGBT
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Off Characteristics
BV
CES
Collector-Emitter Breakdown Voltage
B
VCES
/
T
J
Voltage
I
CES
Collector Cut-Off Current
I
GES
G-E Leakage Current
V
GE
= 0V, I
C
= 250uA
600
--
--
V
Temperature Coefficient of Breakdown
V
GE
= 0V, I
C
= 1mA
--
0.6
--
V/
°
C
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
--
--
--
--
250
± 100
uA
nA
On Characteristics
V
GE(th)
G-E Threshold Voltage
Collector to Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 20mA, V
CE
= V
GE
I
C
= 20A
,
V
GE
= 15V
I
C
= 40A
,
V
GE
= 15V
3.5
--
--
5.1
2.3
3.1
6.5
3.0
--
V
V
V
V
CE(sat)
Dynamic Characteristics
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
V
CE
= 30V
,
V
GE
= 0V,
f = 1MHz
--
--
--
1075
170
50
--
--
--
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn-On Switching Loss
E
off
Turn-Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
E
on
Turn
-
On Switching Loss
E
off
Turn
-
Off Switching Loss
E
ts
Total Switching Loss
Q
g
Total Gate Charge
Q
ge
Gate-Emitter Charge
Q
gc
Gate-Collector Charge
L
e
Internal Emitter Inductance
V
CC
= 300 V, I
C
= 20A,
R
G
= 10
, V
GE
= 15V,
Inductive Load, T
C
= 25
°
C
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
15
30
65
35
470
130
600
30
37
110
80
500
310
810
77
20
25
14
--
--
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
ns
ns
ns
ns
uJ
uJ
uJ
nC
nC
nC
nH
130
100
--
--
1000
--
--
200
250
--
--
1200
150
30
40
--
V
CC
= 300 V, I
C
= 20A,
R
G
= 10
, V
GE
= 15V
,
Inductive Load, T
C
= 125
°
C
V
CE
= 300 V, I
C
= 20A,
V
GE
= 15V
Measured 5mm from PKG
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
--
--
--
--
--
--
Typ.
1.4
1.3
50
74
4.5
6.5
80
220
Max.
1.7
--
95
--
6.0
--
180
--
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 15A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
V
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 15A,
di/dt = 200A/us
ns
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery
Current
A
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGC4000BX-90DS HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
FGD3N60LSD IGBT
FGD3N60LSDTF IGBT
FGD3N60LSDTM IGBT
FGH20N6S2D 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FGAF40N60UFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 Ultrafast RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGAF40N60UFTU 功能描述:IGBT 晶體管 40A/600V/ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGAX304-638G 制造商:Advanced Interconnect 功能描述:
FGB.00.302.CLAD22 功能描述:環(huán)形推拉式連接器 STRAIGHT PLUG MALE W. CABLE COLLET RoHS:否 制造商:Hirose Connector 產(chǎn)品類型:Connectors 系列:HR10 觸點類型:Socket (Female) 外殼類型:Receptacle 觸點數(shù)量:4 外殼大小:7 安裝風(fēng)格:Panel 端接類型:Solder 電流額定值:2 A
FGB.00.302.CLAD22Z 制造商:LEMO connectors 功能描述:.
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