參數(shù)資料
型號： FGA50N60LS
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
中文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 493K
代理商： FGA50N60LS
FGA50N60LS Rev. A
F
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 7. Capacitance Characteristics
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
10
100
100
1000
Common Emitter
V
= 300V, V
GE
= +15V
I
C
= 50A
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
Tr
Ton
S
Gate Resistance, R
G
[
]
10
100
100
1000
Tf
Common Emitter
V
= 300V, V
GE
= +15V
I
C
= 50A
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
Tf
Toff
S
Gate Resistance, R
G
[
]
10
100
1000
10000
Common Emitter
V
= 300V, V
GE
= +15V
I
C
= 50A
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
Eoff
Eon
Eoff
S
Gate Resistance, R
G
[
]
20
40
60
80
100
10
100
1000
Toff
Tf
10
Common Emitter
V
GE
= +15V, R
G
= 5.9
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
Tf
Toff
S
Collector Current, I
C
[A]
20
40
60
80
100
10
100
1000
10
Common Emitter
V
GE
= +15V, R
G
= 5.9
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
Tr
Ton
S
Collector Current, I
C
[A]
1
10
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
Common Emitter
V
GE
=0V, f = 1MHz
T
C
= 25
o
C
Cies
Coes
Cres
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGAF40N60UFD Ultrafast IGBT
FGC4000BX-90DS HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
FGD3N60LSD IGBT
FGD3N60LSDTF IGBT
FGD3N60LSDTM IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FGA-60 制造商:Richco 功能描述:Fan Gasket,Black,60MM 制造商:Richco 功能描述:Bulk
FGA60N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 60A Field Stop IGBT
FGA60N60UFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 600V 60A FIELD STOP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGA60N65SMD 功能描述:IGBT 晶體管 650V, 60A Field Stop IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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