參數(shù)資料
型號(hào)： FGA50N60LS
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
中文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3P, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 493K
代理商： FGA50N60LS
FGA50N60LS Rev. A
F
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
1
10
0
20
40
60
80
100
120
140
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
T
C
= 125
o
C
o
C
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
-50
0
50
100
150
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
100A
Common Emitter
V
GE
= 15V
I
C
= 30A
50A
C
C
Case Temperature, T
C
[
o
C]
0.1
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
60
Vcc = 300V
Load Current : peak of square wave
Duty cycle : 50%
Tc = 100
Power Dissipation = 48W
o
C
L
Frequency [kHz]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
100A
50A
I
C
= 30A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
o
C
100A
50A
I
C
= 30A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
2
4
6
8
0
20
40
60
80
100
120
140
V
GE
= 8V
Common Emitter
T
C
= 25
o
C
12V
15V
20V
10V
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGAF40N60UFD Ultrafast IGBT
FGC4000BX-90DS HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE
FGD3N60LSD IGBT
FGD3N60LSDTF IGBT
FGD3N60LSDTM IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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FGA-60 制造商:Richco 功能描述:Fan Gasket,Black,60MM 制造商:Richco 功能描述:Bulk
FGA60N60UFD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:600V, 60A Field Stop IGBT
FGA60N60UFDTU 功能描述:IGBT 晶體管 600V 60A FIELD STOP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGA60N65SMD 功能描述:IGBT 晶體管 650V, 60A Field Stop IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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