參數(shù)資料
型號(hào)： FGA15N120AND
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： IGBT
中文描述： 24 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： TO-3PN, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 574K
代理商： FGA15N120AND
FGA15N120AND Rev. A
F
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
10
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.1
0.5
0.2
0.05
0.02
0.01
single pulse
T
Rectangular Pulse Duration [sec]
0
20
40
60
80
100
120
0
2
4
6
8
10
12
14
16
600V
400V
Common Emitter
R
L
= 40
T
C
= 25
℃
Vcc = 200V
G
G
Gate Charge, Q
g
[nC]
5
10
15
20
25
30
0.1
1
10
Common Emitter
V
GE
=
±
15V, R
G
= 20
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
Eon
Eoff
S
Collector Current, I
C
[A]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA
Fig 17. Transient Thermal Impedance of IGBT
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
Pdm
t1
t2
Duty factor D = t1 / t2
×
Zthjc + T
C
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
50
μ
s
100
μ
s
1ms
DC Operation
Ic MAX (Pulsed)
Ic MAX (Continuous)
Single Nonrepetitive
Pulse Tc = 25
Curves must be derated
linearly with increase
in temperature
o
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
1
10
100
1000
1
10
100
Safe Operating Area
V
GE
= 15V, T
C
= 125
℃
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FGA25N120ANTD 1200V NPT Trench IGBT
FGA25N120AND IGBT
FGA25N12ANTD 1200V NPT Trench IGBT
FGA50N60LS IGBT
FGAF40N60UFD Ultrafast IGBT
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參數(shù)描述
FGA15N120ANDTU 功能描述:IGBT 晶體管 NPT IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FGA15N120ANTD 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT
FGA15N120ANTD_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:1200V NPT Trench IGBT
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