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參數(shù)資料
| 型號： | FDZ298N |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel 2.5 V Specified PowerTrench BGA MOSFET |
| 中文描述： | 6 A, 20 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ULTRA THIN, BGA-9 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | FDZ298N |
FDZ298N Rev B1 (W)
Dimensional Outline and Pad Layout
F
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDZ298N_Q | 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDZ298N-Q (744) DIE | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDZ298N-Q (748) DIE | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDZ298N-Q (802) DIE | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDZ299P | 功能描述:MOSFET 20V/12V PCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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