參數(shù)資料
型號： FDW2506P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 5300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153AA
封裝： TSSOP-8
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 93K
代理商： FDW2506P
FDW2506P Rev. C (W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
24
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -5.3A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
4
8
12
16
20
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
OSS
C
RSS
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
10s
1s
100ms
100
μ
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
= -4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 208
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
0
0.001
5
10
15
20
25
30
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 208°C/W
T
A
= 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) + R
θ
JA
R
θ
JA
= 208 °C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/ t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDW2507NZ Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET
FDW2507N CAP CER .56UF 50V 10% X7R 1210
FDW2508 Dual P-Channel 1.8 V Specified PowerTrench MOSFET
FDW2508P Dual P-Channel 1.8 V Specified PowerTrench MOSFET
FDW2509 Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDW2506P_Q 功能描述:MOSFET TSSOP-8 P-CH DUAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDW2507N 功能描述:MOSFET N-Channel 2.5V Common Drain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDW2507N_Q 功能描述:MOSFET N-Channel 2.5V Common Drain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDW2507NZ 功能描述:MOSFET 2.5V N-Ch MOSFET Common Drain RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDW2508 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel 1.8 V Specified PowerTrench MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*