參數(shù)資料
型號： FDS9412
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 7900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 230K
代理商： FDS9412
FDS9412 Rev D(W)
Typical Characteristics
0
5
10
15
20
25
30
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
5.0V
4.5V
2.5V
V
GS
= 10V
6.0V
3.0V
3.5V
4.0V
0.5
1
1.5
2
2.5
0
5
10
15
20
25
30
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
V
GS
= 3.0V
5.0V
4.5V
4.0V
6.0V
10V
3.5V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
I
D
= 7.9A
V
GS
= 10V
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
= 7.9 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
5
10
15
20
25
30
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
T
A
= 125
o
C
25
o
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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