參數(shù)資料
型號(hào)： FDS8936
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 229K
代理商： FDS8936
FDS8936A Rev.B
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I = 6A
D
V = 5V
10V
20V
0.1
0.2
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
1
2
5
10
30
50
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
5
10
30
50
I
D
RDS(ON) LIMIT
A
T = 25°C
DC
1s
10s
100ms
10ms
1ms
V =10V
SINGLE PULSE
R = 135 °C/W
JA
GS
100us
0.01
0.1
0.5
1
10
50 100
300
0
5
10
15
20
25
30
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =135° C/W
T = 25°C
θ
JA
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
30
50
100
200
400
800
1200
2000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C s
f = 1 MHz
V = 0 V
C ss
C s
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R =
135
°C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c. Transient
thermal response will change depending on the circuit board design.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS8936A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8947A Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8958A Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8958 Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS8960C Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDS8936S 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8947A 功能描述:MOSFET SO-8 DUAL P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS8949 功能描述:MOSFET 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS8949 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor
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