參數(shù)資料
型號(hào)： FDS8926A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 5.5 A, 30 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 201K
代理商： FDS8926A
FDS8926A Rev.B
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
5
10
15
20
25
30
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 4.5V
2.5V
2.0V
1.5V
3.0V
3.5V
0
5
10
15
20
25
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 2.0V
3.5V
4.5V
2.5V
3.0V
R
D
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
D
V = 4.5 V
I = 5.5 A
R
D
Figure 3. On-Resistance Variation With
Temperature
.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
4
8
12
16
20
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V =5V
T = -55°C
Figure 5 . Transfer Characteristics.
0
0.2
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
20
I
S
A
25°C
-55°C
V = 0V
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
1
2
3
4
5
0
0.025
0.05
0.075
0.1
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
T = 25°C
I = 2.8A
T = 125°C
Figure 4. On-Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS8928A Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8934 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8934A Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8936S Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDS8936 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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FDS8934 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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FDS8936 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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