參數(shù)資料
型號(hào)： FDS7766
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 17000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 121K
代理商： FDS7766
FDS7766 Rev E (W)
Typical Characteristics
0
10
20
30
40
50
60
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
= 10V
2.5V
3.0V
4.5V
3.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
10
20
30
40
50
60
I
D
, DIRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 3.0V
10V
3.5V
4.0V
4.5V
6.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 17A
V
GS
= 10V
0
0.002
0.004
0.006
0.008
0.01
0.012
0.014
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 8.5A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
10
20
30
40
50
60
1.5
2
2.5
3
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= 5.0V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述
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