參數(shù)資料
型號(hào)： FDS7764S
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
中文描述： 13500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大小： 127K
代理商： FDS7764S
FDS7764S Rev D (W)
Typical Characteristics
(continued)
SyncFET Schottky Body Diode
Characteristics
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode
in parallel with PowerTrench MOSFET. This diode
exhibits similar characteristics to a discrete external
Schottky diode in parallel with a MOSFET. Figure 12
FDS7764S.
C
Time: 12.5ns/div
Figure 12. FDS7764S SyncFET body diode
reverse recovery characteristic.
For comparison purposes, Figure 13 shows the reverse
recovery characteristics of the body diode of an
equivalent size MOSFET produced without SyncFET
(FDS6644).
C
Time: 12.5ns/div
Figure 13. Non-SyncFET (FDS6644) body
diode reverse recovery characteristic.
Schottky barrier diodes exhibit significant leakage at
high temperature and high reverse voltage. This will
increase the power in the device.
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
, REVERSE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
T
A
= 100
o
C
Figure 14. SyncFET diode reverse leakage
versus drain-source voltage and
temperature.
F
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FDS7766 功能描述:MOSFET 30V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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