參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6993
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 4.3 A, 30 V, 0.055 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 159K
代理商： FDS6993
FDS6993 Rev C (W)
Typical Characteristics: Q2
0
4
8
12
16
20
0
0.5
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
1
1.5
2
-
D
,
V
GS
= -4.5V
-2.5V
-2.0V
-1.5V
-3.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
4
12
16
20
-I
D
, 8
R
D
,
D
V
GS
= - 2.0V
-4.5V
-3.0V
-3.5V
-2.5V
-10.0V
-6.0V
Figure 12. On-Region Characteristics.
Figure 13. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
-50
-25
0
T
J
, JUN25
o
C)
50
75
100
125
150
R
D
,
I
D
= -6.8A
V
GS
= - 4.5V
0.005
0.015
0.025
0.035
0.045
1
2
4
5
-V
GS
, GATE TO SO3
R
D
,
I
D
= -3.4A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 14. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 15. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
4
8
12
16
20
0
0.4
1.2
1.6
2
-V
GS
, GAT0.8
-
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
Figure 16. Transfer Characteristics.
Figure 17. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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PDF描述
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