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    參數(shù)資料
    型號(hào)： FDS6570A
    廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
    元件分類： 小信號(hào)晶體管
    英文描述： Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
    中文描述： 15000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
    封裝： SO-8
    文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
    文件大?。?/td> 201K
    代理商： FDS6570A
    F
    FDS6570A Rev. C
    Typical Characteristics
    (continued)
    Figure 7. Gate Charge Characteristics.
    Figure 8. Capacitance Characteristics.
    Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
    Figure 10. Single Pulse Maximum
    Power Dissipation.
    Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
    Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
    Transient themal response will change depending on the circuit board design.
    0
    0.001
    10
    20
    30
    40
    50
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    1000
    SINGLE PULSE TIME (SEC)
    P
    SINGLE PULSE
    R
    θ
    JA
    =125
    o
    C/W
    T
    A
    =25
    o
    C
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    t , TIME (sec)
    1
    10
    100
    300
    0.001
    0.002
    0.005
    0.01
    0.02
    0.05
    0.1
    0.2
    0.5
    1
    T
    r
    Single Pulse
    D = 0.5
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.2
    Duty Cycle, D = t /t
    2
    R (t) = r(t) * R
    R = 125
    °
    C/W
    T - T = P * R JA
    P(pk)
    t
    1
    t
    2
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    Q
    g
    , GATE CHARGE (nC)
    V
    G
    ,
    I
    D
    = 13A
    V
    DS
    = 5V
    10V
    15V
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    V
    DS
    , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
    I
    D
    ,
    R
    DS(ON)
    Limit
    DC
    10s
    1s
    100ms
    10ms
    1ms
    100
    μ
    s
    V
    GS
    = 4.5V
    SINGLE
    PULSE
    R
    θ
    JA
    = 125
    o
    C/W
    0
    1000
    2000
    3000
    4000
    5000
    6000
    7000
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    V
    DS
    , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
    C
    C
    iss
    C
    oss
    C
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    PDF描述
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    FDS6574A 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
    FDS6574A_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:20V N-Channel PowerTrench MOSFET
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    FDS6575 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFETP SO-8 ((NW))
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