參數(shù)資料
型號(hào)： FDS6570A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 15000 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 201K
代理商： FDS6570A
F
FDS6570A Rev. C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0
0.001
10
20
30
40
50
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=125
o
C/W
T
A
=25
o
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 125
°
C/W
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 13A
V
DS
= 5V
10V
15V
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
R
DS(ON)
Limit
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
V
GS
= 4.5V
SINGLE
PULSE
R
θ
JA
= 125
o
C/W
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
0
4
8
12
16
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
oss
C
rss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDS6572A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6574A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
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FDS6576 P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
FDS6609A P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDS6572A 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6574A 功能描述:MOSFET SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6574A_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:20V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6575 功能描述:MOSFET SO-8 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDS6575 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFETP SO-8 ((NW))
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