參數(shù)資料
型號： FDS3572
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 8.9 A, 80 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 628K
代理商： FDS3572
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDS3572 Rev. A
F
Typical Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Ambient Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
150
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
0
2
4
6
8
10
25
50
75
100
125
150
I
D
,
T
A
, AMBIENT TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= 10V
R
θ
JA
=50
o
C/W
0.001
0.01
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
P
DM
t
1
t
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
T
R
θ
JA
=50
o
C/W
10
100
1000
5
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
V
GS
= 10V
T
A
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
150 - T
A
125
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FDS3580 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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