參數(shù)資料
型號： FDPF51N25
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： FDPF51N25
中文描述： 28 A, 250 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 851K
代理商： FDPF51N25
4
www.fairchildsemi.com
FDPF51N25 Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature vs. Temperature
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
* Notes :
1. V
GS
= 10 V
2. I
D
= 25.5 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1010 ms
DC
1 ms
10
μ
s
100
μ
s
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
* Notes :
1. T
C
= 25
2. T
J
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
o
C]
1 0
-5
1 0
-4
1 0
-3
1 0
-2
1 0
-1
1 0
0
1 0
1
1 0
-2
1 0
-1
* N o te s :
1 . Z
2 . D u ty F a c to r , D = t
1
/t
2
3 . T
J M
- T
C
= P
θ
J C
( t) = 0 .3 9
o
C /W M a x .
D M
* Z
θ
J C
( t)
s in g le p u ls e
D = 0 .5
0 .0 2
0 .0 1
0 .2
0 .0 5
0 .1
Z
(
t
1
, S q u a r e W a v e P u ls e D u r a tio n [s e c ]
t
1
P
DM
t
2
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
* Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
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