參數(shù)資料
型號(hào)： FDP8880
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 11 A, 30 V, 0.0145 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大?。?/td> 231K
代理商： FDP8880
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP8880 / FDB8880 Rev. A
www.fairchildsemicom
F
4
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case
Temperature
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
Figure 4. Peak Current Capability
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
P
0
0
25
50
75
100
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
125
150
I
D
,
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
0
20
40
60
25
50
75
100
125
150
175
0.1
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
T
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JC
x R
θ
JC
+ T
C
P
DM
t
1
t
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
SINGLE PULSE
100
600
50
I
D
,
t, PULSE WIDTH (s)
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
T
C
= 25
o
C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25
o
C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I
25
175 - T
C
150
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDB8896 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 93A, 5.7 m ohm
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