參數(shù)資料
型號(hào): FDP5680
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): JFETs
英文描述: 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
中文描述: 40 A, 60 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/16頁(yè)
文件大?。?/td> 440K
代理商: FDP5680
FDP5680/FDB5680 Rev. C
!
"#
$%&
!
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
1
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
2
3
4
I
D
,
V
GS
= 10V
4.0V
5.0V
4.5V
6.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 4.0V
10V
5.0V
7.0V
4.5V
6.0V
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 20A
V
GS
= 10V
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 20A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0
10
20
30
40
50
60
2
3
4
5
6
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDB5686 60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDB5690 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
FDP5690 60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
FDB5800 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDB6021P 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDP5680_Q 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP5690 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP5690_Q 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP5800 功能描述:MOSFET 60V N-Ch Logic Level MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDP5N50 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube