參數(shù)資料
型號： FDP13AN06A
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз
中文描述： N溝道的PowerTrench MOSFET的60V的62A條，13.5mз
文件頁數(shù)： 5/11頁
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代理商： FDP13AN06A
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0 Rev. A1
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
Typical Characteristics
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
T
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
-80
-40
0
40
80
120
160
200
0.9
1.0
1.1
1.2
100
1000
40
3000
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0.1
1
10
60
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 30V
I
D
= 62A
I
D
= 31A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
相關PDF資料
PDF描述
FDB13AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mohm
FDP13AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз
FDP14N30 300V N-Channel MOSFET
FDPF14N30 300V N-Channel MOSFET
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參數(shù)描述
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