參數(shù)資料
型號(hào)： FDPF14N30
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 300V N-Channel MOSFET
中文描述： 14 A, 300 V, 0.29 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/10頁(yè)
文件大?。?/td> 315K
代理商： FDPF14N30
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP14N30 / FDPF14N30 Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
F
February 2007
UniFET
TM
FDP14N30 / FDPF14N30
300V N-Channel MOSFET
Features
14A, 300V, R
DS(on)
= 0.29
Ω
@V
GS
= 10 V
Low gate charge ( typical 18 nC)
Low C
rss
( typical 17 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar
stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche
and commutation mode. These devices are well suited for high
efficient switched mode power supplies and active power factor
correction.
Absolute Maximum Ratings
Thermal Characteristics
TO-220
FDP Series
G
S
D
TO-220F
FDPF Series
G
S
D
D
G
S
Symbol
Parameter
FDP14N30
FDPF14N30
Unit
V
DSS
I
D
Drain-Source Voltage
300
V
Drain Current
- Continuous (T
C
= 25
°
C)
- Continuous (T
C
= 100
°
C)
- Pulsed
1
4
8.4
1
4 *
8.4
A
A
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
Drain Current
(Note 1)
56
56
A
Gate-Source voltage
±
30
V
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
330
mJ
Avalanche Current
(Note 1)
14
A
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
14
mJ
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
4.5
V/ns
P
D
Power Dissipation
(T
C
= 25
°
C)
- Derate above 25
°
C
140
1.12
35
0.28
W
W/
°
C
T
J,
T
STG
T
L
Operating and Storage Temperature Range
-55 to +150
°
C
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,
1/8” from Case for 5 Seconds
* Drain current limited by maximum junction temperature
300
°
C
Symbol
Parameter
FDP14N30
FDPF14N30
Unit
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
0.89
3.56
°
C/W
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.
0.5
--
°
C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
62.5
62.5
°
C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDP15N65_0610 650V N-Channel MOSFET
FDP15N65 650V N-Channel MOSFET
FDPF15N65 650V N-Channel MOSFET
FDP16AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 58A, 16mз
FDB16AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 58A, 16mз
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDPF14N30T 功能描述:MSOFET N-CH 300V 14A TO-220F RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:UniFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
FDPF15N40 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 400V, 15A, 0.3Ω
FDPF15N65 功能描述:MOSFET 30V 92A 5.9OHMS NCH POWER TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDPF15N65YDTU 功能描述:MOSFET 650V 15A N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDPF16N50 功能描述:MOSFET 500V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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