參數(shù)資料
型號(hào)： FDP12N50
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ
中文描述： 11.5 A, 500 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/10頁(yè)
文件大小： 348K
代理商： FDP12N50
F
FDP12N50 / FDPF12N50 Rev. A
www.fairchildsemi.com
4
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature vs. Temperature
1.2
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
- FDP12N50 - FDPF12N50
Figure 10. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
*Notes:
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature
[
o
C
]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
*Notes:
1. V
GS
= 10V
2. I
D
= 6A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature
[
o
C
]
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
20
μ
s
100
μ
s
1ms
10ms
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
*Notes:
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3. Single Pulse
800
DC
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
20
μ
s
100
μ
s
1ms
10ms
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
* Notes :
1. T
C
= 25
o
C
2. T
J
= 150
o
C
3. Single Pulse
DC
25
50
T
C
, Case Temperature
[
o
C
]
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
12
14
I
D
,
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