參數(shù)資料
型號(hào)： FDN5618
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
中文描述： 60V的P通道MOSFET的邏輯電平的PowerTrench
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 385K
代理商： FDN5618
SuperSOT
-3 (FS PKG Code 32)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0097
SuperSOT
TM
-3 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDN5618P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDN5630 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDP047AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
FDP047AN08 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
FDP060AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0mз
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDN5618P 功能描述:MOSFET SSOT-3 P-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDN5618P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SOT-23
FDN5618P-CUT TAPE 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDN5618P Series 60 V 0.170 Ohm P-Channel Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
FDN5630 功能描述:MOSFET SSOT-3 N-CH 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDN5630 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET
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