參數(shù)資料
型號(hào)： FDN335N
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET
中文描述： 1700 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SUPERSOT-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 210K
代理商： FDN335N
F
FDN335N Rev. C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
R (t) = r(t) * R
R = 270 °C/W
Duty Cycle, D = t /t
2
T - T = P * R JA
P(pk)
t
1
t
2
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
0
0.0001
4
8
12
16
20
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
=270
o
C/W
T
A
=25
o
C
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 270
o
C/W
T
A
= 25
o
C
R
DS(ON)
LIMIT
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 1.7A
V
DS
= 5V
10V
15V
0
100
200
300
400
500
0
4
8
12
16
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
ISS
C
RSS
C
OSS
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
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