參數(shù)資料
型號： FDMA1028NZ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 3700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-229VCCC
封裝： 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MICROFET-6
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 126K
代理商： FDMA1028NZ
FDMA1028NZ Rev B (W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
2.5V
2.0V
V
GS
= 4.5V
3.0V
3.5V
1.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
1
2
I
D
, DRAIN 3
4
5
6
R
D
,
D
V
GS
= 2.0V
2.5V
3.5V
4.5V
3.0V
4.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
C)
R
D
,
I
D
= 3.7A
V
GS
= 4.5V
0.03
0.05
0.07
0.09
0.11
0.13
0
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 1.85A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
1
2
3
4
5
6
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDMA1029PZ Dual P-Channel PowerTrench MOSFET
FDMA1032CZ 20V Complementary PowerTrench MOSFET
FDMA2002NZ 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDMA291P Single P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDMA420NZ_0609 Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 20V, 5.7A, 30mз
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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