參數(shù)資料
型號(hào)： FDH047AN08A0
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
中文描述： 80 A, 75 V, 0.0047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 606K
代理商： FDH047AN08A0
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP047AN08A0 / FDI047AN08A0 / FDH047AN08A0 Rev. C
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
100
1000
10000
0.1
1
10
75
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 40V
I
D
= 80A
I
D
= 10A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDI047AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 4.7mз
FDH1000 CAP CER 6800PF 630V 10% X7R 1206
FDLL1000 High Conductance Switching Diodes
FDH15N50 15A, 500V, 0.38 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET
FDP15N50 15A, 500V, 0.38 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDH055N15A 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDH1000 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Conductance Switching Diodes
FDH1005 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDH1040 制造商:TOKO 制造商全稱:TOKO, Inc 功能描述:Fixed Inductors for Surface Mounting
FDH1040B 制造商:TOKO 制造商全稱:TOKO, Inc 功能描述:Fixed Inductors for Surface Mounting
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