參數(shù)資料
型號(hào)： FDG6322C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Dual N & P Channel Digital FET
中文描述： 220 mA, 25 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SC-70, 6 PIN
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 247K
代理商： FDG6322C
FDG6322C Rev.F
Typical Electrical Characteristics: N-Channel
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 4. On-Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
D
R
D
V = 4.5V
I = 0.22A
0
1
2
3
4
5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V =4.5V
3.0V
3.5V
0
0.1
0.3
0.4
2.5
3
4
4.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 2.5V
R
D
5.0V
4.5V
2.7V
4.0V
3.5V
3.0V
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
V ,GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
25°C
I = 0.10A
T =125°C
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.05
0.1
0.15
0.2
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 5V
T = -55°C
125°C
25°C
0
0.2
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1.2
0.0001
0.01
0.1
I
S
-55°C
V = 0V
J
Figure 6
Voltage
tion with Source Current
and Temperature.
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