參數(shù)資料
型號(hào)： FDG315
廠商： Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述： N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
中文描述： N溝道MOSFET的邏輯電平的PowerTrench
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 81K
代理商： FDG315
F
FDG315N Rev. C
Typical Characteristics
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
V
GS
= 10V
3.0V
4.5V
3.5V
4.0V
5.0V
6.0V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
2
4
6
8
10
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 3.5V
10V
4.0V
5.0V
4.5V
6.0V
8.0V
0
2
4
6
8
10
1
2
3
4
5
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5V
0.001
0.01
0.1
1
10
0.2
0.4
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= 1A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 2A
V
GS
= 10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDG315N CAP CER 100PF 630VDC U2J 1206
FDG316P CAP CER 1000PF 630VDC U2J 1206
FDG326 CAP CER 150PF 630VDC U2J 1206
FDG326P CAP CER 220PF 630VDC U2J 1206
FDG327NZ CAP CER 680PF 630VDC U2J 1206
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDG315N 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG316P 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG318P 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDG326 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
FDG326P 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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