參數(shù)資料
型號(hào)： FDFS2P753AZ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode -30V, -3A, 115mヘ
中文描述： 3 A, 30 V, 0.115 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, SOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 243K
代理商： FDFS2P753AZ
F
www.fairchildsemi.com
3
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDFS2P753AZ Rev.B
NOTES:
1.R
θ
JA
is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of the drain pins.
R
θ
JC
is guaranteed by design while R
θ
CA
is determined by the user’s board design.
2. Starting T
J
= 25°C, L = 3 mH, I
AS
= -2A, V
DD
= -27V, V
GS
= -10V.
3. Pulse Test: Pulse Width < 300
μ
s, Duty cycle < 2.0%.
a. 78°C/W when mounted on a
0.5 in
pad of 2 oz copper.
b. 135°C/W when mounted on a
minimum pad of 2 oz copper.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDFS2P753Z Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode
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FDFS6N754 Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode 30V, 4A, 56mOHM
FDG311N N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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參數(shù)描述
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FDFS6N303 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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FDFS6N548 功能描述:MOSFET 30V Integrated N-Ch PT MOSFET-Schtky Dio RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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