參數(shù)資料
型號： FDD8878
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 35 A, 30 V, 0.0185 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 240K
代理商： FDD8878
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8878 / FDU8878 Rev. A3
www.fairchildsemi.com
F
7
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
Figure 17. Gate Charge Test Circuit
Figure 18. Gate Charge Waveforms
Figure 19. Switching Time Test Circuit
Figure 20. Switching Time Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
L
V
DD
Q
g(TH)
Q
gs
V
GS
= 1V
0
Q
gs2
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
Q
gd
Q
g(5)
V
GS
= 5V
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
相關PDF資料
PDF描述
FDU8880 N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 58A, 10m
FDU8882 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD8882 N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD8882_NL N-Channel PowerTrench MOSFET
FDU8882_NL N-Channel PowerTrench MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FDD8880 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD8880_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 58A, 9mヘ
FDD8880_F054 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDD8880_G 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:30V N-Channel PowerTrench? MOSFET
FDD8880_NL 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*